mechanism

Thiol-directed high-index faceting (Hammett Au–S control)

Thiol-directed high-index faceting (Hammett Au–S control)

시드-매개 Au 성장 중에 para-치환 benzenethiol을 추가하면, 치환기의 전자적 성격(Hammett)이 Au–S 결합 세기를 설정하게 되고, 이는 어떤 facet이 성장 억제되는지, 따라서 최종 고지수 형태를 선택한다.

규칙

  • 전자 주는기 −NH₂ (4-aminothiophenol) → {331}/{221}/{553}를 갖는 concave RD; −H → tetrahexahedron(육사면체); −Cl / 첨가제 없음 → trisoctahedron(삼팔면체) (see Lee et al., ACS Nano (2015), Fig. 2). 이 경향은 환원 속도론이 아니라 Au–S 결합 세기를 따른다 (AA에 비민감).
  • 방향족 고리 + 고리 위치화학(regiochemistry)이 필요하다 (cysteamine → 불규칙; 2-ATP ortho → 울퉁불퉁), 이는 Au(111) 위 분자의 자기조립 패턴을 시사한다.

키랄성과의 관계

이것은 enantioselective-kink-bindingsurface-chirality-high-index-facet에 대한 비키랄 선구체 개념이다: 동일한 유기티올 facet-제어 기구에서, 비키랄 thiol을 키랄 인코더(Cys/GSH)로 교체하면 키랄 helicoid을 산출한다 (chirality-transfer).

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역링크 (9)

relates_to
Facet-selective metal photodeposition on a semiconductor
both use per-facet electronic properties for directed deposition, driven by photocurrent vs adsorption chemistry
relates_to
Gold bumpy nanocube (Au BNC)
bumpy-NC branch of the thiol-directed morphology mechanism; parallel to concave-RD branch from paper_053