반도체 위 면선택적 금속 광증착

조명 하에서 반도체의 전자 축적 면(electron-accumulation facet) 위에 금속 나노입자를 선택적으로 증착하는 방법: BiVO₄에서 광생성 전자가 {010} 면으로 이동·축적되어, 해당 면에서 금속 전구체(HAuCl₄, AgNO₃)를 제자리(in situ)에서 환원시키며, 정공은 {110} 면에 축적된다. 공간적 선택성을 위한 후처리는 불필요하다 (see Kim et al., Adv. Funct. Mater. (2015), §2.1.2).

• 주요 매개변수: 전구체 농도(최적 10 wt%; 피복률은 ~3 h에서 포화), Au 및 Ag 모두 입자 크기 100–200 nm.
• 단사정계(monoclinic) BiVO₄-photocatalyst의 {010} 대 {110} 면에 대해 확립되었으며, metal-decorated-BiVO₄를 생성한다.

메커니즘적으로 thiol-directed-high-index-faceting과 연관되어 있으나(두 방법 모두 면별 전자 구조를 활용하여 방향성 증착을 유도함), 흡착/친화성 화학보다는 광전류(photocurrent) 에 의해 구동된다.