eta-prime-Cu₃Si (장벽 파괴 실리사이드)

Cu 확산 장벽이 파괴될 때 Si 기판에서 형성되는 주요 Cu-실리사이드 석출물(η′-Cu₃Si)로, 최초 출현 시점이 diffusion-barrier-failure-temperature의 동작 기준 지표가 된다. XTEM에서 피라미드형 절두 삼각형 형태를 나타내며, 단위 부피는 Si의 20 ų에 비해 46 ų이다 (see Kim et al., J. Appl. Phys. (2002), p. 6–7, Figs. 7–8). XRD 및 선택 영역 전자 회절로 동정된다. 큰 부피 팽창으로 인해 전위가 발생하며, 이 전위는 Si 내부로의 추가적인 확산 경로를 제공한다. 부수적으로 Cu₄Si, Cu₅Si, Cu₀.₈₃Si₀.₁₇와 함께 나타난다.

다층 금속 일반화 체계에서, η′-Cu₃Si XRD 피크는 2θ = 65.01°/82.82°에서 나타나며, SEM/XRD/면 저항 분석에서 파괴 판정 기준을 정의한다 (see Kim et al., J. Vac. Sci. Technol. B (2003), Table II). TiN-Al-TiN-diffusion-barrier와 TiN-multilayer-diffusion-barrier 모두의 파괴 생성물이다.