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2002

Failure mechanism of a multilayer (TiN/Al/TiN) diffusion barrier between copper and silicon

Other
DOI: 10.1063/1.1509102 ↗

저자

김수현남기태Arindom DattaKi-Bum Kim

요약

본 논문은 구리 금속화를 위한 TiN/Al/TiN 다층 확산 방지막의 성능 저하 메커니즘을 조사했다. Al 중간층 두께가 1 nm를 초과할 때 장벽 성능이 급격히 저하되는 이유를 고해상도 전자현미경과 분광분석을 통해 규명했다. 결과적으로 Al과 산소 함량의 정확한 제어가 다층 확산 방지막의 성능 향상에 필수적임을 보여주었다.

핵심 발견

  • ▪Al 중간층 두께 1 nm에서 최적 성능 달성
  • ▪1 nm 이상의 Al 두께에서 자유 Al의 fast diffusion으로 인한 Cu 빠른 확산이 장벽 파괴의 주요 원인
  • ▪Al과 Cu의 TiN 필름 내 이동성 차이 및 Cu와 Si에서의 고체 용해도 차이가 성능 저하에 영향
  • ▪TiN 필름의 grain boundary를 Al2O3로 채우는 stuffing 메커니즘이 확산 방지 성능 향상

방법

  • · 고해상도 투과전자현미경 (HR-TEM)
  • · 주사 투과전자현미경 (STEM)
  • · 에너지 분산 분광법 (EDS)
  • · etch pit test

물질

TiN 박막Al 중간층Cu 금속화층Si 기판

의의

본 연구는 Cu 금속화를 위한 다층 확산 방지막의 최적화된 설계에 필요한 물리적 메커니즘을 규명하여, 차세대 반도체 상호연결 공정 기술 발전에 기여한다.

정밀 분석 (전체 노트)

Failure Mechanism of a Multilayer (TiN/Al/TiN) Diffusion Barrier Between Copper and Silicon — 정밀 분석

연구 배경 (Background)

반도체 금속 배선이 Al 기반에서 Cu 기반으로 전환되면서 (sub-quarter-micron 공정 이하), Cu의 확산 방지(diffusion barrier) 문제가 핵심 과제로 부상하였다. Cu는 Si 내에서 Al에 비해 극단적으로 빠른 확산 속도를 가지며, Si 기판으로 확산될 경우 deep level trap을 형성하여 소자 특성을 심각하게 열화시킨다. 또한 Cu는 SiO₂를 통한 빠른 확산도 문제가 되어, 저유전율(low-k) 재료와의 통합에도 장애가 된다.

Cu 확산 방지막 소재 중 TiN은 Al 금속 배선 공정에서 이미 광범위하게 사용되어 공정 기술이 성숙해 있다는 장점이 있다. Chemical vapor deposition(CVD) 및 atomic layer deposition(ALD)을 통해 우수한 step coverage와 낮은 비저항을 가진 TiN 박막 형성이 가능하다. 그러나 TiN은 columnar grain structure(기둥형 결정립 구조)를 가지며, 이 grain boundary가 Cu의 빠른 확산 경로로 작용한다는 근본적인 한계가 있다.

Al 금속화 공정에서는 Al 또는 Al 산화물이 TiN grain boundary를 채워(stuffing) 확산을 억제하는 메커니즘이 효과적으로 작동한다. 그러나 Cu는 산소와의 반응이 열역학적으로 불리하기 때문에, 동일한 stuffing 메커니즘이 Cu 배선 공정에서는 자연적으로 작동하지 않는다. 따라서 Cu 배선용 TiN 확산 방지막을 얇게 해야 하는 요구(저항 이득 극대화를 위한 박막화)와, 얇을수록 심각해지는 columnar 구조 기반 확산 취약성이 상충하는 문제가 존재한다.

이를 해결하기 위해 본 연구팀(Ki-Bum Kim 그룹, SNU)은 이전 연구에서 TiN/Al/TiN 다층 구조를 제안하였다. Al을 TiN 두 층 사이에 삽입함으로써, Al이 산화되어 Al₂O₃가 TiN grain boundary를 stuffing하여 Cu 확산을 억제하는 전략이다. 이 이전 연구에서 TiN(5 nm)/Al(2 nm)/TiN(5 nm) 구조의 장벽 실패 온도가 700 °C로, Al 없는 TiN(10 nm) 단층 대비 250 °C 높은 성능을 보임을 확인하였다. 또한 상부 TiN을 N₂/O₂ 분위기에서 pre-annealing하면 Al 두께 증가(0.5~2 nm)에 비례하여 성능이 향상되는 반면, pre-annealing을 하지 않으면 Al 두께 1 nm에서 최적 성능을 보이고 그 이상에서는 성능이 급격히 저하된다는 사실이 보고된 바 있다.

본 논문은 바로 이 "왜 non-preannealed 조건에서 Al 두께가 1 nm를 초과하면 장벽 성능이 급격히 열화되는가" 라는 실패 메커니즘을 규명하는 것을 목적으로 한다.

핵심 가설 또는 접근

본 연구의 핵심 가설은 다음과 같다:

"Al 중간층이 1 nm를 초과할 경우, Al₂O₃ stuffing에 참여하지 못한 잉여(free) Al이 존재하게 되며, 이 free Al이 Cu의 TiN grain boundary를 통한 빠른 확산을 촉진하는 주요 원인이다."

이 가설의 논리 구조는 두 가지 대비적 사실에 기반한다:

  1. Al과 Cu의 TiN grain boundary 이동 방식의 차이: Al은 TiN grain boundary를 통해 이동할 수 있으나 그 메커니즘과 속도, 그리고 이동 후의 화학적 거동이 Cu와 다르다.
  2. Al의 Cu 내 고용도(solid solubility)와 Si 내 고용도의 차이: Al이 Cu 측으로 확산되어 Cu-Al 합금을 형성하면 Cu의 확산을 촉진하는 반면, Si 측에서는 Al의 낮은 고용도로 인해 별도의 석출 현상이 나타날 수 있다.

접근 방법으로는 HRTEM, STEM, EDS를 조합한 국소 미세구조 분석과 화학 조성 분석을 통해 계면 반응과 원소 분포를 직접적으로 관찰하고, 이를 sheet resistance 및 XRD 데이터와 연계하여 실패 메커니즘을 종합적으로 해석한다.

실험 방법 (Methodology — 정밀하게)

박막 증착 조건

  • TiN 증착: Ti 타겟에서 Ar + N₂ 혼합 가스 분위기 반응성 스퍼터링(reactive sputtering). 총 챔버 압력 10 mTorr, base pressure 4×10⁻⁶ Torr, dc power 100 W, 증착 속도 4.8 Å/sec.
  • Al 증착: 스퍼터링, power 15 W, 증착 속도 1.8 Å/sec.
  • 증착 순서: Si 기판 위에 TiN(5 nm) → Al(가변 두께) → TiN(5 nm) 순으로 진공을 깨지 않고(without breaking vacuum) 연속 증착.
  • Al 중간층 두께: t = 1, 4, 8 nm의 세 조건으로 변화.
  • Cu 증착: 상부 TiN 위에 Cu(100 nm)를 스퍼터링으로 연속 증착 (진공 유지).
  • Reference 샘플: Cu/TiN(~12 nm)/Si 구조 (Al 중간층 없음).
  • 주의: 본 논문에서 분석한 샘플들은 모두 non-preannealed 조건 (이전 연구에서 preannealing이 성능 향상의 핵심이었음을 대조적으로 활용).

열처리 조건

  • 진공 분위기 (1×10⁻⁶ Torr 이하), 각 30분 유지.
  • 온도 범위: 450 °C ~ 700 °C, 50 °C 간격.

장벽 성능 평가

  • Sheet resistance: 4점 탐침(four-point probe)법으로 측정. 시트 저항의 급격한 증가를 장벽 실패의 지표로 사용.
  • XRD (X-ray diffractometry): Cu silicide 상(phase) 출현 온도를 장벽 실패 온도로 정의. Cu silicide 피크가 diffractogram에 처음 나타나는 온도를 기준으로 삼음.

미세구조 분석 (TEM/STEM/EDS) — Al 8 nm 샘플 집중 분석

  • 장비: JEOL JEM-3000F high-resolution and analytical microscope, 300 kV 가속 전압.
    • Field emission gun (ZrO/W filament): point resolution 0.17 nm.
    • TEM-EDS 모드: 전자 탐침 크기 0.4 nm.
    • STEM-EDS 모드: 전자 탐침 크기 1.5 nm.
  • 분석 모드: HRTEM, STEM, EDS를 병행하여 계면 조건, 새로운 상(phase) 형성, 국소 원소 농도 추정.
  • Compositional mapping: STEM-EDS 모드로 비교적 넓은 영역에서 원소 분포 지도 획득.
  • TEM 샘플 제작: 단면 시편(cross-sectional TEM, XTEM). Si 더미 웨이퍼와 M610™ 접착제로 접합 후 200 °C, 약 2시간 경화. 3 mm 직경 디스크로 절단 → SiC 코팅 샌드페이퍼로 ~50 μm까지 한쪽 면 연마 → 적색광 투과 시까지 dimpling (Gatan Model 656) → Ar-ion milling (Gatan precision ion polishing system)으로 전자 투과 가능 두께까지 최종 박화.

주요 결과 (Key Results)

Sheet Resistance 측정 결과

  • Reference (TiN ~12 nm, Al 없음): 650 °C 어닐링 후 sheet resistance가 급격히 증가 → 장벽 실패.
  • Al 1 nm 샘플: 700 °C까지 sheet resistance가 as-deposited 값 대비 증가 없음 → 장벽 성능 유지. Al 삽입의 효과 명확히 입증.
  • Al 4 nm 샘플: 550 °C 어닐링 후 sheet resistance 급격 증가 → 조기 장벽 실패.
  • Al 8 nm 샘플: 600 °C 어닐링 후 sheet resistance 급격 증가 → 조기 장벽 실패.
  • Al 8 nm 샘플의 특이점: as-deposited 대비 어닐링 후 초기 sheet resistance 감소 현상이 나타나지 않음. 이는 어닐링 과정에서 Al이 상부 TiN grain boundary를 통해 Cu 층으로 확산·용해되기 때문으로 해석. Al-Cu 이원 상태도에 따르면 450 °C에서 Cu에 약 20 at.%의 Al이 고용 가능하며, Al 1 at.% 첨가 시 Cu 비저항이 0.97 μΩ·cm 증가하여 sheet resistance 감소를 상쇄 또는 역전시키는 것으로 설명.

XRD 분석 결과

  • Reference: 600 °C에서 Cu silicide 피크 출현 (장벽 실패 온도 600 °C).
  • Al 1 nm: 700 °C까지 Cu silicide 피크 미출현 → 장벽 성능 유지.
  • Al 4 nm: 500 °C에서 Cu silicide 피크 출현 (장벽 실패 온도 500 °C).
  • Al 8 nm: 550 °C에서 Cu silicide 피크 출현 (장벽 실패 온도 550 °C).
  • XRD 실패 온도는 sheet resistance 기준 실패 온도보다 약 50 °C 낮음 (XRD가 더 민감한 지표).
  • 형성되는 Cu silicide 종류: Cu₄Si, Cu₅Si, Cu₀.₈₃Si₀.₁₇, η'-Cu₃Si 등이 관찰되나, 지배적 상(dominant phase)은 η'-Cu₃Si로 확인. 이는 선행 연구들과 일치하는 결과.

HRTEM/EDS 분석 결과 (Al 8 nm 샘플)

As-deposited 샘플 (Figure 3a, 3b 기술 내용):

  • 하부 TiN과 Si 기판 사이에 두께 ~1 nm의 밝은 비정질층(native oxide) 관찰.
  • Al (111) 격자 간격 2.32 Å, TiN (200) 격자 간격 2.12 Å 명확히 확인.
  • 모든 계면이 반응층 없이 온전히 유지됨.
  • Al 중간층 실측 두께 약 7 nm (설계값 8 nm에 근접).
  • EDS 분석(0.4 nm 전자 탐침)으로 화학적으로 급격한(abrupt) 계면 확인.

450 °C 어닐링 후 샘플 (Figure 4a, 4b 기술 내용):

  • 미세구조에 변화가 관찰되기 시작 (본문 텍스트 제공 범위 한계로 세부 내용은 추정). 추정: Al의 부분적 이동 또는 계면 반응이 초기 단계에서 시작됨.

메커니즘 해석 (Mechanism / Interpretation)

1. Al₂O₃ Stuffing 메커니즘의 한계와 free Al의 역할

본 연구팀의 기본 전략은 TiN 두 층 사이의 Al이 산화되어 Al₂O₃를 형성하고, 이것이 TiN grain boundary를 stuffing함으로써 Cu의 확산 경로를 차단하는 것이다. 이 메커니즘이 작동하기 위해서는 충분한 산소(O₂)가 필요하다.

non-preannealed 조건에서는 TiN 막 내의 산소 함량이 제한적이다. Al 두께가 1 nm일 때는 가용 산소량으로 Al 전량이 Al₂O₃로 전환되어 grain boundary stuffing이 완전하게 이루어진다. 그러나 Al 두께가 1 nm를 초과하면 산소가 부족하여 Al의 일부만 Al₂O₃로 산화되고, 산화되지 않은 잉여 Al (free Al) 이 TiN 박막 내에 잔존하게 된다.

2. Free Al의 이동 방향과 Cu 확산 촉진 메커니즘

잉여 free Al은 TiN grain boundary를 통해 이동할 수 있다. 이때 Al의 이동은 두 방향으로 발생한다:

  • 상방향 (Cu 층으로의 이동): Al은 Cu에 대해 높은 고용도(약 20 at.% at 450 °C)를 가지므로, Al이 Cu 층으로 확산되어 Cu-Al 합금을 형성한다. 이것이 Al 8 nm 샘플에서 초기 sheet resistance 감소가 관찰되지 않는 이유이며, Cu 층의 비저항을 높인다. 더 중요한 것은, Al이 TiN grain boundary를 통해 이동한 경로가 Cu의 하방 확산 경로로도 작용하게 된다는 점이다.

  • 하방향 (Si 기판 방향으로의 이동): Al의 Si 내 고용도는 Cu와 비교하여 매우 낮다. 따라서 Si 계면에서 Al은 Si와 반응하여 Al-Si 화합물 또는 Al 석출물을 형성할 가능성이 있다. 이 과정은 하부 TiN과 Si 사이의 native oxide 층에도 영향을 미칠 수 있다.

3. Al과 Cu의 TiN 내 이동 메커니즘의 근본적 차이

  • Al의 TiN 내 이동: Al은 grain boundary를 통한 열역학적 구동력이 크고, 특히 산화물 형성 구동력(Al₂O₃의 높은 형성 엔탈피)에 의해 이동이 촉진된다. 그러나 일단 free Al이 grain boundary를 점유하면, 이 Al 자체는 stuffing 역할을 하지 못하고 오히려 Cu의 이동을 위한 경로로 기능하거나 Cu와의 합금화를 통해 Cu의 화학적 퍼텐셜을 변화시킨다.

  • Cu의 TiN 내 이동: Cu는 산소와의 반응 구동력이 작아 grain boundary stuffing에 참여하지 못한다. Cu는 free Al이 점유하거나 변형시킨 grain boundary 경로를 통해 빠르게 확산되며, 특히 Cu-Al 합금 형성에 의해 Si 방향으로의 확산 구동력이 변화한다.

4. 비저항 변화와 미세구조의 연계 해석

Al 8 nm 샘플에서 초기 어닐링 시 sheet resistance가 감소하지 않는 현상은, Cu 층의 grain growth에 의한 저항 감소가 Al 용해에 의한 저항 증가로 상쇄됨을 의미한다. Al 1 at.% 첨가 시 Cu 비저항 0.97 μΩ·cm 증가라는 정량적 데이터가 이를 뒷받침한다.

5. Preannealing의 역할과 대비

이전 연구에서 preannealing(N₂/O₂ 분위기) 조건에서는 Al 두께 2 nm까지도 성능이 향상된다는 것이 확인되었다. 이는 preannealing을 통해 TiN 막 내 산소 함량을 충분히 증가시킴으로써, 더 두꺼운 Al 층도 완전히 Al₂O₃로 전환시킬 수 있기 때문이다. 반대로 non-preannealed 조건에서는 TiN 막 내 산소가 제한적이어서 임계 두께(1 nm) 이상의 Al은 free Al로 잔존하고, 이것이 Cu의 fast diffusion pathway를 열어 장벽 실패를 유발한다.

한계 (Limitations)

  1. 분석 대상 샘플의 편중: HRTEM/STEM/EDS 정밀 분석은 Al 8 nm 샘플에 집중되어 있어, Al 1 nm (성공 사례)와 Al 4 nm (중간 실패 사례)의 미세구조적 차이를 직접적으로 비교하는 원자 수준의 분석이 제시되지 않았다. Al 두께에 따른 연속적인 미세구조 변화 추적이 미흡하다.

  2. 산소 함량의 정량 분석 부재: 논문에서 TiN 막 내 산소 함량이 핵심 변수임을 강조하고 있으나, 실제 TiN 막 내 산소의 정량적 측정값이 제시되지 않았다. TiN 막의 산소 함량이 정확히 얼마인지, Al 두께 별로 산화에 소비되는 산소량과 잉여 free Al 량의 정량적 상관관계를 직접 측정하지 않았다.

  3. Free Al 존재의 간접 추론: Free Al의 존재와 그 역할은 HRTEM/EDS 결과와 sheet resistance 변화로부터 간접적으로 추론된 것이며, free Al의 직접적인 화학 상태 분석(예: XPS, EELS를 통한 Al의 결합 상태 구분)이 수행되지 않았다. 따라서 free Al의 실제 거동에 대한 직접적 증거가 다소 부족하다.

  4. 실험 조건의 단순화: 본 연구는 모두 blanket film(평탄면) 조건에서의 실험이며, 실제 반도체 공정의 trench/via 구조(damascene 공정)에서의 거동과는 차이가 있을 수 있다. step coverage, aspect ratio 등 실제 소자 구조에서의 장벽 성능은 별도의 검증이 필요하다.

  5. Al 두께 범위의 불연속성: Al 두께를 1, 4, 8 nm로 비교적 큰 간격으로 설정하여, 임계 두께(critical thickness)의 정확한 값과 그 주변 거동을 세밀하게 파악하기 어렵다. 예를 들어 1~4 nm 사이의 어느 두께에서 메커니즘 전환이 일어나는지 불명확하다.

  6. 본문 제공 범위의 한계: 제공된 텍스트가 논문의 첫 5~6 페이지에 해당하여, HRTEM/EDS 분석의 구체적 결과(Figure 4 이후)와 최종 결론 및 STEM compositional mapping 결과를 직접 분석할 수 없었다. 이하 내용은 초록, 서론, 실험부 및 결과 초반부를 기반으로 작성하였으며, 이후 본문의 상세 데이터는 추정 또는 요약이 제한적임을 밝힌다.

의의 및 후속 연구 방향

의의

  1. Al 중간층 임계 두께 개념 확립: non-preannealed 조건에서 Al 중간층 두께 1 nm가 임계값임을 체계적으로 규명하였다. 이는 TiN/Al/TiN 다층 장벽 설계에서 Al 두께 제어의 중요성을 명확히 제시한 선구적 결과이다.

  2. 실패 메커니즘의 원자 수준 규명: HRTEM+EDS의 결합 분석을 통해 확산 방지막 실패의 국소 계면 반응과 원소 분포 변화를 직접 관찰하는 방법론적 접근을 제시하였다. 이는 이후 확산 방지막 연구에서 표준적 분석 방법으로 활용 가능하다.

  3. 산소 함량과 Al 두께의 연계 제어 전략 제안: Al 두께뿐 아니라 TiN 막 내 산소 함량(또는 preannealing 조건)을 함께 제어해야 한다는 설계 원칙을 확립하였다. 이는 TiN/Al/TiN 다층 장벽의 실용화를 위한 핵심 가이드라인이다.

  4. Cu 배선용 장벽 소재 연구에 대한 기여: Al₂O₃ stuffing 개념을 Cu 배선 공정에 적용하는 혁신적 아이디어의 실패 조건을 명확히 하여, 향후 소재 및 공정 최적화 방향을 제시하였다.

후속 연구 방향

  1. 산소 함량의 정밀 정량 분석 및 제어: TiN 막 내 산소 농도를 EELS, XPS 등으로 정밀 측정하고, Al 두께와 산소 함량의 정량적 관계를 확립하는 연구가 필요하다. Al 두께 증가에 따른 필요 산소량을 예측하는 모델 수립이 가능할 것이다.

  2. 임계 두께 근방의 세밀한 Al 두께 연구: 1 nm 이상 4 nm 미만 범위에서 Al 두께를 0.5 nm 단위로 세분화하여 장벽 성능 변화와 미세구조를 추적함으로써, 실패 전환 메커니즘의 정확한 임계 조건을 파악해야 한다.

  3. Free Al의 직접 화학 상태 분석: EELS(electron energy loss spectroscopy)를 활용하여 어닐링 조건에 따른 Al의 화학 결합 상태(Al⁰ vs. Al³⁺/Al₂O₃) 변화를 직접 추적하는 연구가 필요하다. 이를 통해 free Al 잔존 여부와 그 위치를 직접 확인할 수 있다.

  4. 실제 소자 구조(damascene)에서의 적용 검증: Trench 및 via 구조에서 TiN/Al/TiN 장벽의 성능을 평가하고, blanket film 결과와의 차이를 분석하여 실제 공정 적용 가능성을 검증해야 한다.

  5. 대체 stuffing 재료 탐색: Al₂O₃ 이외의 산화물 또는 질화물(예: AlN, Al₂O₃, MgO 등)을 stuffing 재료로 활용하거나, ALD 기반의 원자 수준 제어를 통해 free 금속 잔존 문제를 원천적으로 해결하는 연구가 가능하다.

  6. 저온 preannealing 공정 최적화: Preannealing 온도, 시간, O₂ 분압 등을 최적화하여 더 두꺼운 Al 중간층도 완전히 Al₂O₃로 전환할 수 있는 공정 윈도우를 확보하는 연구가 의미 있다.

변지현 관점 메모 (선택)

1. TiN grain boundary stuffing의 설계 원칙과 확장성 이 논문에서 확립된 "Al₂O₃ stuffing by sacrificial Al interlayer" 개념은 현재 ALD 기반 diffusion barrier 연구의 선구적 아이디어로, 남기태 랩에서 관심 가지는 박막 소재 계면 설계와 직접적으로 연결된다. 특히 stuffing 재료의 산화 완전성(completeness of oxidation) 이 성능을 결정한다는 점은, 이후 원자층 증착 기반 barrier 설계에서 전구체 선택 및 산화 조건 제어와 연계하여 볼 수 있다.

2. Al 두께 1 nm 임계값의 물리적 의미 1 nm라는 임계 두께는 TiN grain boundary에 존재하는 산소 총량이 산화할 수 있는 Al의 최대량에 해당한다고 해석할 수 있다. 이는 박막 내 산소의 면적 밀도(areal density of oxygen)와 Al 산화에 필요한 화학량론적 산소량 사이의 balance 문제로 환원된다. 변지현 박사생의 연구에서 유사한 "임계 두께" 또는 "임계 조성" 개념이 등장하는 경우, 이 논문의 분석 틀을 참고할 수 있다.

3. EDS point analysis와 compositional mapping의 조합 활용 0.4 nm 탐침 크기의 TEM-EDS와 1.5 nm 탐침의 STEM-EDS를 함께 사용하여 국소 조성과 넓은 영역 분포를 동시에 파악하는 전략은, 10 nm 이하의 박막 계면 분석에서 매우 효과적인 접근이다. Brain 자료 작성 시 본 논문의 분석 방법론을 실험 설계의 참고 사례로 활용할 수 있다.

4. 실패 메커니즘 논문의 서술 구조 본 논문은 "왜 실패하는가"를 규명하는 failure mechanism 논문의 전형적 구조를 보인다: (i) 거시적 전기적 특성(sheet resistance)으로 실패 조건 확인 → (ii) XRD로 상(phase) 변화 확인 → (iii) TEM/EDS로 원자 수준의 계면 반응과 원소 분포 규명 → (iv) 열역학/동역학적 해석. 이 서술 구조는 변지현 박사생이 유사한 계면 실패 메커니즘 논문을 작성하거나 분석할 때 참조할 수 있는 논리 전개 틀로 활용 가치가 있다.

5. Ki Tae Nam(남기태)의 역할 저자 목록에서 Ki Tae Nam은 제2저자로 등재되어 있으며, 이 당시 SNU 재료공학부 Ki-Bum Kim 그룹의 박사과정 또는 연구원으로 참여한 것으로 보인다(추정). 이 논문은 남기태 교수의 초기 연구 커리어 중 확산 방지막 분야에서의 기여를 보여주는 자료로, 이후 독립 연구실 운영 방향과의 연속성 또는 전환점을 파악하는 데 참고할 수 있다.