N-doped graphene quantum sheet (N-GQS)

N₂-플라즈마 유래 질소 도핑 그래핀 양자 시트로, CVD 단층 그래핀으로부터 직접 절단하여 제조; paper_035의 산물.

• 평균 크기 4.84 nm (3–7 nm 분포, HRTEM, Fig. 3h); 평균 AFM 높이 1.64 ± 0.06 nm (16 s 플라즈마, Figs. S₁–S₂) (see Moon et al., Adv. Mater. (2014)).
• N/C ~2.7%, XPS 분석에 의한 피리딘계 N (398.5 eV) 및 피롤계 N (399.9 eV) 확인 (Fig. 4d); sp² 격자 보존 (C 1s 284.8 eV, Fig. 4c).
• 디클로로메탄에 분산 가능하거나 필름 형태로 건식 전사 가능; UV-vis λmax 270 nm; PL λmax ~430 nm (see Moon et al., Adv. Mater. (2014), Figs. 3h, 4b–f).

nitrogen-plasma-GQS-synthesis에 의해 제조되며; photoluminescence-emission-N-GQS를 나타내고; Si 광음극 위에서 HER 공촉매로 작용함 (J–E 곡선이 bare Si 대비 ~0.35 V 양의 방향으로 이동). paper_032의 연속적인 N-doped-monolayer-graphene 촉매/패시베이션 층과는 구별됨 (동일한 N₂-플라즈마 화학 및 동일 연구 그룹이지만, 양자 제한 시트 대 온전한 단층의 차이).

제2의 합성 경로 (상호 참조). 별개의 N-GQS — 수열합성법, ~3.62 nm, CO₂→CO 전환에 적용 — 가 Yang et al., Adv. Funct. Mater. (2015)에 N-GQS-hydrothermal로 수록되어 있음 (paper_057). 본 페이지는 N₂-플라즈마 경로만을 다룬다.