Nitrogen-plasma GQS 합성

CVD로 성장시킨 단층 그래핀을 RF 질소 플라즈마를 이용하여 N-doped-graphene-quantum-sheet으로 일단계, 무용매 변환하는 방법 (paper_035).

• RF 10 W, 120 mTorr N₂ 플라즈마를 그래핀/Cu에 적용하며, 플라즈마 에너지가 동시에 C–C 결합을 절단하여 (양자 구속 시트 형성) 엣지/결함 위치에 N을 도입함 (피리딘형 + 피롤형) (see Moon et al., Adv. Mater. (2014), Fig. 2).
• AFM 분석 결과 노출 시간에 따라 표면 거칠기가 점진적으로 증가함 (0 → 2 → 4 → 6 s, Fig. 2).
• 산, 용매, 마스크, 또는 다단계 리소그래피가 불필요하며 — 해당 소재 분류에서 기존의 다단계 GQD 합성 경로를 대체함.

동일한 N₂ 플라즈마 화학 공정이 paper_032의 N-doped-graphene-HER-catalysis 처리에도 사용되었으나, 여기서는 온전한 단층 그래핀을 도핑하는 것이 아니라 그래핀을 단편화하여 이산적인 양자 시트를 형성하는 데 적용되었다.