Resistive-switching ON/OFF ratio
저항 스위칭 ON/OFF 비율
저항 스위칭 메모리 소자의 ON/OFF 저항 비율 — 저저항(ON) 상태와 고저항(OFF) 상태 사이의 동적 범위.
| 소자 | ON/OFF 비율 | 조건 |
|---|---|---|
| Ag-MAPbI3-Pt-MIM-cell (400 nm) | 1.12 × 10⁶ (평균, 50개 셀) | ±0.15 V 펄스 |
| YYACAYY-bimodal-memristor (Pt/Y₇C 117 nm/Ag) — 전압 모드 | 10⁶ | 45% RH, Vset 2.6 V (see Song et al., Nat. Commun. (2020), Fig. 3a) |
| YYACAYY-bimodal-memristor — RH (습도) 모드 | > 10⁴ | 읽기 전압 0.3 V, RH-set ≈ 90% (Song et al., Nat. Commun. (2020), Fig. 3b) |
| YYACAYY-bimodal-memristor Mg/Y₇C/Mg (실크, 210 nm) — ECM 모드 | > 10⁶ | Vset 4.3 V, 37 °C DI-water-dissolvable (see Song et al., ACS Applied Electronic Materials (2021), Fig. 3b) |
| YYACAYY-bimodal-memristor (Pt/Y₇C/Ag) — 아날로그 모드 @ 90% RH | ~10⁴ | 점진적 스위칭 가능 (HRS ~2×10⁷ Ω 감소, LRS ~10³ Ω); 60% RH에서의 ~10⁶ 대비 감소 (see Song et al., Nano Res. (2022), Fig. 2b) |
메모리 윈도우 대 아날로그 선형성 트레이드오프 (paper_200). Pt/Y₇C/Ag 소자의 경우, RH 증가는 점진적(아날로그) 스위칭(proton-modulated-metaplasticity)을 유도하지만, HRS/LRS 메모리 윈도우를 60% RH에서의 ~10⁶에서 90% RH에서의 ~10⁴로 감소시킨다 — 설계상의 트레이드오프 (see Song et al., Nano Res. (2022), Fig. 2a–b).
MAPbI₃ 셀의 값은 Choi et al., Adv. Mater. (2016), Fig. 1f를 참조. YYACAYY 멤리스터는 이중 양성자/전자 입력 제어 기능을 갖춘 최초의 생체고분자 기반 저항 스위칭 소자이다 (PCET Ag-필라멘트 스위칭; see YYACAYY-bimodal-memristor).
맥락 (Fig. 3a 비교 공간). 이진 산화물(TiO₂, TaOₓ)은 다양한 비율을 나타내며; 무기 페로브스카이트(SrTiO₃)는 낮은 비율을 보이고; 유기 재료는 큰 편차를 보인다. MAPbI₃는 높은 비율 / 가장 높은 1/E_SET 영역을 점유한다 — 즉, 매우 낮은 스위칭 전기장에서 큰 동적 범위를 나타낸다 (see Choi et al., Adv. Mater. (2016), Fig. 3a). 이 비율은 ion-defect-filament-switching에서 기인한다. 더 많은 메모리 관련 논문이 추가됨에 따라 교차 출처 표도 확장될 예정이다. paper_064.