entity:device
n-MoS2/p-Si photocathode
n-MoS₂/p-Si 광음극
paper_061의 조립된 광음극: 4인치 p형 Si 웨이퍼 위에 PMMA 전사된 13 nm 2H-MoS₂-thermolytic-film으로, n-MoS₂/p-Si 타입-II 헤테로접합을 형성한다 (see Kwon et al., Energy Environ. Sci. (2016)).
성능 (AM 1.5G, 100 mW cm⁻², 0.5 M H₂SO₄)
- 개시 전위 +0.17 V vs RHE (1 mA cm⁻² 기준) (see Kwon et al., Energy Environ. Sci. (2016), Fig. 3a).
- J @ 0 V = 24.6 mA cm⁻²; ABPE = 0.86%; OCV = 0.46 V.
- 0.5 M H₂SO₄에서 50 h 안정성.
- p-InP/p-GaAs/p-GaP 기판에서도 광전류 손실 없이 전사 가능함을 실증 (Fig. 5).
MoS₂의 전도대(EC)는 H⁺/H₂ 전위(−4.5 eV)와 정렬되어 있어, 최종 전자 전달 단계에 추가적인 구동력이 필요하지 않다 — see type-II-TMD-semiconductor-heterojunction-PEC. 광흡수 기판은 p-type-Si-substrate이다. 나노구조 Si 접근법인 silicon-nanowire-photocathode와 상호 보완적이다 (평면형 p-Si + TMD 촉매 vs. 나노구조 무피복 Si).
로컬 그래프 (11 연결)
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나가는 연결 (6)
→ relates_to
Silicon nanowire photocathode
complementary p-Si PEC HER approaches: planar+TMD-catalyst vs nanostructured bare Si; different performance levers
→ produced_by
p-type (100) Si substrate
p-Si is the light-absorbing substrate; bare p-Si onset -0.28 V vs RHE is the baseline
→ part_of
Si-photocathode HER
member of umbrella Si-photocathode-HER
→ mentions
역링크 (9)
← produces
2H-MoS2 thermolytic film
PMMA transfer of 13 nm MoS2 onto p-Si forms the photocathode device
← relates_to
Pt / TiO2-NR / p-Si photocathode (S6)
both n-material/p-Si planar HER photocathodes from same Jang-group era (2016); different protection+catalyst strategies; Jsc 40 vs 24.6 mA cm-2 at 0V RHE
← relates_to
NiMo / p-Si photocathode (HER)
both are earth-abundant catalyst / p-Si photocathode architectures for HER; NiMo electrodeposited, MoS2 transferred; different catalyst class
← mentions
← mentions
← mentions