property

SHG enhancement factor (strain site, WSe2/WS2 heterobilayer)

SHG 향상 인자 (변형 부위, WSe₂/WS₂ 헤테로이중층)

실온, 800 nm 펌프 조건에서 Au 나노입자 변형 부위와 비변형 헤테로이중층 간의 편광 의존적 SHG 향상 (see Chang et al., Nanotechnology (2024), Fig. 3e–f):

펌프 편광SHG 향상 인자출처
선형 (LP)~15×Chang et al., Nanotechnology (2024), Fig. 3e
우원형 (RCP)~9×Fig. 3f
좌원형 (LCP, 최댓값)~100×Fig. 3f

이차 비선형 (SHG) 응답은 2차 거듭제곱 법칙 기울기 1.814 ± 0.149 에 의해 확인된다 (Fig. 2d).

⚠ 기준선 정의 주의사항. 향상 인자는 나노입자 부위에서의 최댓값 SHG를 비변형 영역의 평균 SHG와 비교한 값이다 (Fig. 3e 캡션). 이로 인해 최댓값 대 최댓값 비교에 비해 보고된 인자가 과대평가될 수 있으므로, 이 수치를 인용할 경우 기준선 정의를 반드시 확인해야 한다. LCP-100× 대 RCP-9× 비대칭성에 대한 정량적 모델은 해당 논문에 제시되어 있지 않다.

관계

WSe₂-WS₂-heterobilayer-local-strain에 의해 생성되며 local-strain-SHG-enhancement-TMD를 통해 매개된다.

로컬 그래프 (3 연결)

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나가는 연결 (3)

part_of
TMD valleytronics & single-photon
member of umbrella tmd-valley-single-photon

역링크 (2)

produces
WSe2/WS2 heterobilayer (local-strain SHG)
local strain yields LP 15x / RCP 9x / LCP 100x SHG enhancement at RT
produces
Local-strain symmetry-breaking SHG enhancement (TMD heterobilayer)
mechanism produces the measured enhancement factors