property

MoS2 stacking number vs pO2

MoS₂ 적층 수 대 pO₂

ATTM/PAN 유래 탄소 나노섬유에서의 평균 MoS₂ 적층 수 및 층 길이를 800 °C / 5 h 등온 조건에서 pO₂의 함수로 나타낸 값으로, TEM 통계 분석을 통해 도출됨 (see Nam et al., Adv. Mater. (2017), Fig. 5a–c).

조건	평균 층 길이	평균 적층 수
Ar/H₂	3.14 nm	1.1
0.1 Torr	3.90 nm	1.29
0.2 Torr	중간값 (본문 참조)	중간값 (본문 참조)
0.3 Torr	팔면체 영역	팔면체 영역
0.4 Torr	8.61 nm	4.60
안정화 + 0.4 Torr (MoS₂-hollow-nanotube)	33.01 nm (shell > 100 nm)	16.5 (최대 25)

성장 비등방성

수직 방향(적층)보다 수평 방향(길이) 성장이 우선적으로 일어남: 0.3 vs 0.4 Torr 조건에서 최종 층 길이는 동일하지만 적층 수가 상이하게 나타나며, 이는 수평 방향 성장이 먼저 포화됨을 시사함 (see Nam et al., Adv. Mater. (2017), Fig. 5e–f). 또한 시간 의존성도 양의 상관관계를 보이며, 고정된 pO₂ 조건에서 등온 유지 시간이 길어질수록 층 길이와 적층 수 모두 증가함 (Fig. 5d–f).

nanoscale-Boudouard-selective-oxidation에 의해 구동되며, 이 수치들은 MoS₂-C-nanofiber-composite 및 그 최종 형태인 MoS₂-hollow-nanotube를 기술한다.