property
CPL photoresponsivity of the chiral-AuNP/IGZO Schottky transistor
키랄-AuNP/IGZO 쇼트키 트랜지스터의 CPL 광응답도
chiral-AuNP-IGZO-CPL-transistor의 게이트 전압에 따른 좌원편광(LCP) 및 우원편광(RCP) 조사 조건에서의 광응답도(A/W) — paper_202의 편광 식별 성능지수 (see Namgung et al., Nat. Commun. (2022), Table 1).
| 게이트 | 635 nm LCP | 635 nm RCP | 780 nm LCP | 780 nm RCP |
|---|---|---|---|---|
| V_g = 20 V | 1.37 A/W | 1.81 A/W | 6.5 A/W | 3.62 A/W |
| V_g = 0 V | 0.98 mA/W | 1.08 mA/W | 4.26 mA/W | 2.37 mA/W |
(see Namgung et al., Nat. Commun. (2022), Table 1, Fig. 2c,g.)
- 게이트 전압은 쇼트키 장벽을 구부림으로써(hot-electron-Schottky-CPL-detection) 광응답도를 ~3자릿수 증폭시킨다 (mA/W → A/W).
- LCP/RCP 비대칭성은 파장에 따라 부호가 반전된다: 635 nm에서는 RCP 우세, 780 nm에서는 LCP 우세 — 이는 432-helicoid-III CD 스펙트럼의 부호 변화를 추적한다.
벤치마크
- 기존 키랄-Ag/Si 다이오드(NIR): ~4.3 mA/W (LCP) / ~1.5 mA/W (RCP) — 본 트랜지스터의 게이트 인가 시 780 nm LCP 조건에서의 6.5 A/W는 절대 광응답도 기준으로 ~1500× 높다 (see Namgung et al., Nat. Commun. (2022), Table 1).
- 페로브스카이트 CPL 검출기(chiral-AuNP-perovskite-composite, paper_192)의 광응답도 이방성 g_res = 0.55와는 구별되는 지표: 이방성 비율 대 절대 광응답도 — 상호 순위 비교 불가.
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Chiral-AuNP / IGZO Schottky CPL phototransistor
device photoresponsivity matrix: 6.5 A/W LCP @780 nm Vg=20V, gate amplifies mA/W to A/W
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