property

Hole (acceptor) density of p-type photocathodes

p형 광음극의 정공(억셉터) 밀도

Mott–Schottky 분석으로 추출한 p형 광음극 박막의 다수 캐리어(억셉터/정공) 밀도 N_A. PEC 광음극 소재의 캐리어 밀도 값에 대한 교차 출처 모음.

소재N_A (cm⁻³)조건출처
CuBi₂O₄-thin-film, 플럭스 없음1.03 × 10¹⁹Mott–Schottky, ε = 100Choi et al., Materials Letters (2017)
CuBi₂O₄, 10 mol% Li-flux-MOD3.99 × 10¹⁹Mott–Schottky, ε = 100Choi et al., Materials Letters (2017)
  • N_A는 Li 플럭스 함량에 따라 1.03 × 10¹⁹ (플럭스 없음)에서 3.99 × 10¹⁹ cm⁻³ (10 mol%)까지 단조 증가하며, 중간 플럭스 함량에서의 값은 그 사이에 위치한다 (see Choi et al., Materials Letters (2017), Fig. 3b, PDF p.4). 모든 박막은 p형이며 (음의 Mott–Schottky 기울기), 평탄대 전위 V_FB = 1.00–1.22 V vs Ag/AgCl이다.
  • 저자들은 이 증가를 CuBi₂O₄ 격자 내 이가(異價) Li⁺ 치환에 의한 것으로 설명하고 있으나, 이는 추론에 근거한 것으로 직접적으로 증명된 바 없음을 명시하고 있다 — XRD 격자 상수 변화나 Li 1s XPS 데이터가 제시되지 않았으며, 증가의 일부는 개선된 화학량론에 기인할 수 있다 (see Choi et al., Materials Letters (2017), PDF p.4). 출처 경계 설정: Li 도핑 귀인은 확인된 사실이 아닌 제안된 기원으로 취급할 것.

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enhances
Li flux (eutectic-lowering MOD additive)
hole density rises 1.03e19 to 3.99e19 cm-3 with flux; aliovalent Li+ doping inferred not proven