MAPbI₃ 박막 (저항 스위칭 층)

용액 공정으로 제조된 다결정 CH₃NH₃PbI₃ (메틸암모늄 납 아이오다이드) 층으로, paper_064의 MIM 메모리 셀에서 능동 스위칭 매체로 기능한다 (see Choi et al., Adv. Mater. (2016)). 공칭 두께 400 nm, 평균 결정립 ≈ 133 nm (see Choi et al., Adv. Mater. (2016), Fig. S₁).

구조 및 조성

• ABX₃ 페로브스카이트: 모서리 공유 PbI₆ 팔면체 구조이며, A-자리에 메틸암모늄 (MA⁺) 양이온이 위치한다.
• 혼합 이온–전자 전도체.
• 화학량론에 민감: MAI:PbI₂ 비율이 반드시 1:1이어야 하며, 1.05 또는 0.95의 비율에서는 금속성 박막이 형성된다 (see Choi et al., Adv. Mater. (2016), Fig. S₆, p. 6563).

스위칭을 가능하게 하는 고유 특성: 낮은 아이오딘 점결함 이동 장벽 (I 분할 격자간 침입형 0.15 eV, 아이오딘 공공 0.25 eV) 및 MA⁺ 양이온의 피코초 단위 회전 유연성 (see ion-defect-filament-switching 및 Choi et al., Adv. Mater. (2016), Fig. 3b,c).

Ag-MAPbI3-Pt-MIM-cell에 조립되어 사용된다.

수계 광촉매 형태와 명확히 구별된다. 이 항목은 메모리 소자에 사용되는 건식 스핀 코팅 박막을 다룬다. 동일한 화합물이 paper_069에서는 수계 침전 분말 광촉매로 사용되며 — MAPbI3-perovskite-photocatalyst 참조; 형태, 공정, 역할이 상이하므로 별도 항목으로 유지한다.